微軟雅黑, "Microsoft YaHei"; font-size: 16px; font-style: normal; font-variant-ligatures: normal; font-variant-caps: normal; font-weight: 400; letter-spacing: normal; orphans: 2; text-align: justify; text-indent: 32px; text-transform: none; white-space: normal; widows: 2; word-spacing: 0px; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: #ffffff; text-decoration-thickness: initial; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial; width: 100%; line-height: 30px;">眾所周知，目前國產(chǎn)最先進(jìn)的光刻機(jī)是上海微電子的SSX600系列光刻機(jī)。其中最先進(jìn)的型號是SSA600/20，在分辨率這里寫的是90nm。

(資料圖片僅供參考)

也因?yàn)閷懼?0nm，所以很多人爭起來了，有人說最多就是制造90nm制程的芯片，也有人說這臺光刻機(jī)屬于ArF光刻機(jī)，最多可以達(dá)到65/55nm。

還有人說，雖然是90nm，但經(jīng)過多次曝光后，可以達(dá)到28nm精度，那么問題來了，它究竟能制造多少納米的芯片？

如果不進(jìn)行多重曝光，肯定最多就是達(dá)到ArF的極限，也就是65/55nm，這是光刻機(jī)技術(shù)本身決定的，但是如果經(jīng)過多重曝光后，情況確實(shí)不一樣了。

光刻機(jī)技術(shù)確實(shí)可以利用多重曝光工藝實(shí)現(xiàn)更小線寬，目前多重曝光技術(shù)有三種，分別是LELE、LFLE、SADP。

LELE是指將原本一層的電路，拆分成幾層進(jìn)行光刻機(jī)；而LFLE則將第二層光刻膠加在第一層已被化學(xué)凍結(jié)但沒去除的光刻膠上，再次進(jìn)行光刻，形成兩倍結(jié)構(gòu)。這兩種方式結(jié)構(gòu)簡單，缺點(diǎn)多次曝光要進(jìn)行對準(zhǔn)，誤差較大，會(huì)顯著降低良率。

SADP技術(shù)又不一樣，又稱側(cè)墻圖案轉(zhuǎn)移，用沉積、刻蝕技術(shù)提高光刻精度，其難點(diǎn)主要是工藝過程對側(cè)壁沉積的厚度、刻蝕形貌的控制極其重要，另外SADP可以兩次達(dá)到4倍精度。

也就是說，如果采用SADP多重曝光，最終實(shí)現(xiàn)4倍精度的話，90nm的光刻機(jī)，最終理論上確實(shí)是可以實(shí)現(xiàn)最高22.5nm工藝，可見國產(chǎn)90nm的光刻機(jī)，理論上達(dá)到28nm是沒什么問題的。

不過大家要注意的是，不管是采用LELE或LFLE，或者采用SADP多重曝光技術(shù)，都提高了對刻蝕、 沉積等工藝的技術(shù)要求，并且因?yàn)樵黾恿耸褂么螖?shù)， 使晶圓光刻成本直接就增加了2-3倍，再加上多次曝光會(huì)顯著降低良率。

所以如果采用多次曝光，實(shí)現(xiàn)4倍精度的話，其晶圓的制造成本，可能比一次曝光的成本，提高5倍以上，生產(chǎn)出來的芯片，都會(huì)成為成本過高，沒法應(yīng)用于市場。

所以，采用多重曝光技術(shù)，在28nm階段，并不合適的，也一般沒人使用，因?yàn)?8nm技術(shù)很成熟，利潤非常低，多重曝光導(dǎo)致成本上漲5倍，晶圓廠絕對是虧本的的。

原文標(biāo)題?:?國產(chǎn)90nm的光刻機(jī)，經(jīng)多重曝光后，能生產(chǎn)28nm芯片？

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